SWD026R03VT - описание и поиск аналогов

 

SWD026R03VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD026R03VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 742 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD026R03VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD026R03VT даташит

 ..1. Size:621K  samwin
 swd026r03vt.pdf pdf_icon

SWD026R03VT

SW026R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS 30V High ruggedness TO-252 Low RDS(ON) (Typ 3.5m )@VGS=4.5V ID 80A (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 3.5m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 113nC) Improved dv/dt Capability 3.0m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 Application DC-DC Converter, Inverter, 2 2 3 Synchron

 9.1. Size:741K  samwin
 swd020r03vlt.pdf pdf_icon

SWD026R03VT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.1m )@VGS=4.5V ID 120A (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.1m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 145nC) Improved dv/dt Capability 2.1m @VGS=10V 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Synchronous Rectification, 2 Li Battery Protect Board,

Другие MOSFET... SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , IRF640 , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T .

History: IXFH80N25X3 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | 4N65G-TF3-T | SWD070R08E7T | MESS84

 

 

 

 

↑ Back to Top
.