SWD030R03VLT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD030R03VLT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Encapsulados: TO252
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SWD030R03VLT datasheet
swd030r03vlt.pdf
SW030R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness ID 110A Low RDS(ON) (Typ 4.4m )@VGS=4.5V (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 4.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC) 3.0m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Moto
swd030r04vt.pdf
SW030R04VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 40V High ruggedness ID 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m )@VGS=4.5V RDS(ON) 3.7m @VGS=4.5V (Typ 2.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC) 2.8m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application Power Supply,LED Boost 1. Gate 2
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History: SW4N70K | HD1H15A
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Liste
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