Справочник MOSFET. SWD030R03VLT

 

SWD030R03VLT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD030R03VLT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD030R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  samwin
 swd030r03vlt.pdf pdf_icon

SWD030R03VLT

SW030R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggednessID : 110A Low RDS(ON) (Typ 4.4m)@VGS=4.5V(Typ 3.0m)@VGS=10VRDS(ON) :4.4m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC)3.0m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 23 2 Application:Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board, Moto

 6.1. Size:711K  samwin
 swd030r04vt.pdf pdf_icon

SWD030R03VLT

SW030R04VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 40V High ruggedness ID : 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 3.7m@VGS=4.5V (Typ 2.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC) 2.8m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Power Supply,LED Boost 1. Gate 2

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP85T03GS-HF | SMK1040F | STP5NB40 | KI2955DV | LN2302LT1G | NP160N04TUK | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.