SWD030R03VLT - описание и поиск аналогов

 

SWD030R03VLT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD030R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD030R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD030R03VLT даташит

 ..1. Size:731K  samwin
 swd030r03vlt.pdf pdf_icon

SWD030R03VLT

SW030R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness ID 110A Low RDS(ON) (Typ 4.4m )@VGS=4.5V (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 4.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC) 3.0m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Moto

 6.1. Size:711K  samwin
 swd030r04vt.pdf pdf_icon

SWD030R03VLT

SW030R04VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 40V High ruggedness ID 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m )@VGS=4.5V RDS(ON) 3.7m @VGS=4.5V (Typ 2.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC) 2.8m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application Power Supply,LED Boost 1. Gate 2

Другие MOSFET... SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , IRF1404 , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T , SWD062R08E8T .

History: AOWF412 | AOWF10N60 | SWD4N50K | 4N60L-TN3-R | RUF020N02 | SWD80N04V | HM4354

 

 

 

 

↑ Back to Top
.