SWD030R04VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD030R04VT
Código: SW030R04VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 102 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 120 nC
Tiempo de subida (tr): 54 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 773 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD030R04VT
SWD030R04VT Datasheet (PDF)
swd030r04vt.pdf
SW030R04VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 40V High ruggedness ID : 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 3.7m@VGS=4.5V (Typ 2.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC) 2.8m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Power Supply,LED Boost 1. Gate 2
swd030r03vlt.pdf
SW030R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggednessID : 110A Low RDS(ON) (Typ 4.4m)@VGS=4.5V(Typ 3.0m)@VGS=10VRDS(ON) :4.4m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC)3.0m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 23 2 Application:Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board, Moto
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