SWD030R04VT - описание и поиск аналогов

 

SWD030R04VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD030R04VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD030R04VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD030R04VT даташит

 ..1. Size:711K  samwin
 swd030r04vt.pdf pdf_icon

SWD030R04VT

SW030R04VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 40V High ruggedness ID 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m )@VGS=4.5V RDS(ON) 3.7m @VGS=4.5V (Typ 2.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC) 2.8m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application Power Supply,LED Boost 1. Gate 2

 6.1. Size:731K  samwin
 swd030r03vlt.pdf pdf_icon

SWD030R04VT

SW030R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness ID 110A Low RDS(ON) (Typ 4.4m )@VGS=4.5V (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 4.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC) 3.0m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Moto

Другие MOSFET... SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , IRLZ44N , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T , SWD062R08E8T , SWD062R68E7T .

History: ZXMS6006DG | AP92T12GP | ME95N03T | SWB060R65E7T | AOWF12N65 | 4N65G-TF2-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.