SWD046R68E8T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD046R68E8T
Código: SW046R68E8T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 176 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 146 nC
Tiempo de subida (tr): 73 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 546 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD046R68E8T
SWD046R68E8T Datasheet (PDF)
swd046r68e8t.pdf
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