SWD046R68E8T Todos los transistores

 

SWD046R68E8T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD046R68E8T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 546 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD046R68E8T datasheet

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SWD046R68E8T

SW046R68E8T N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 68V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 4.8m )@VGS=10V RDS(ON) 4.8m Low Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 1 Li Battery Protect Board, Inverter 1. Gate 2.Drain 3.Source General Des

 9.1. Size:743K  samwin
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SWD046R68E8T

SW040R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 5.1m )@VGS=4.5V (Typ 3.7m )@VGS=10V RDS(ON) 5.1m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 59nC) 3.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Synchronous Rectification, 2 Li Battery Protect Board, In

Otros transistores... SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , IRF640N , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T , SWD062R08E8T , SWD062R68E7T , SWD065R03VLT , SWD065R68E7T .

History: SW4N70K | HD1H15A | AOW14N50

 

 

 

 

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