SWD046R68E8T Todos los transistores

 

SWD046R68E8T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD046R68E8T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 546 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SWD046R68E8T Datasheet (PDF)

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SWD046R68E8T

SW046R68E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 120A Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des

 9.1. Size:743K  samwin
 swd040r03vlt.pdf pdf_icon

SWD046R68E8T

SW040R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 5.1m)@VGS=4.5V(Typ 3.7m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.1m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 59nC)3.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested23 Application:Synchronous Rectification, 2Li Battery Protect Board, In

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