SWD046R68E8T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD046R68E8T
Маркировка: SW046R68E8T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 146 nC
trⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SWD046R68E8T
SWD046R68E8T Datasheet (PDF)
swd046r68e8t.pdf
SW046R68E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 120A Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
swd040r03vlt.pdf
SW040R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 5.1m)@VGS=4.5V(Typ 3.7m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.1m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 59nC)3.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested23 Application:Synchronous Rectification, 2Li Battery Protect Board, In
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD