SWD046R68E8T - описание и поиск аналогов

 

SWD046R68E8T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD046R68E8T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD046R68E8T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD046R68E8T даташит

 ..1. Size:773K  samwin
 swd046r68e8t.pdf pdf_icon

SWD046R68E8T

SW046R68E8T N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 68V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 4.8m )@VGS=10V RDS(ON) 4.8m Low Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 1 Li Battery Protect Board, Inverter 1. Gate 2.Drain 3.Source General Des

 9.1. Size:743K  samwin
 swd040r03vlt.pdf pdf_icon

SWD046R68E8T

SW040R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 5.1m )@VGS=4.5V (Typ 3.7m )@VGS=10V RDS(ON) 5.1m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 59nC) 3.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Synchronous Rectification, 2 Li Battery Protect Board, In

Другие MOSFET... SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , IRF640N , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T , SWD062R08E8T , SWD062R68E7T , SWD065R03VLT , SWD065R68E7T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.