SWD078R08E8T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD078R08E8T
Código: SW078R08E8T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 138.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 95 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 92 nC
Tiempo de subida (tr): 67 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD078R08E8T
SWD078R08E8T Datasheet (PDF)
swd078r08e8t.pdf
SW078R08E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 95A Low RDS(ON) (Typ 8.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 8.6m Low Gate Charge (Typ 92nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr
swi075r06et swd075r06et.pdf
SW075R06ETN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 60V High ruggednessID : 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification, 2233Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2. Drai
swd070r08e7t.pdf
SW070R08E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 95A Low RDS(ON) (Typ 7.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 7.6m Low Gate Charge (Typ 101nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Desc
swd076r68e7t.pdf
SW076R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 80nC)RDS(ON) : 8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 212 Application:Synchronous Rectification,3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.Source3General Descrip
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History: RU75N08L
