SWD078R08E8T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD078R08E8T
Маркировка: SW078R08E8T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 95 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 92 nC
Время нарастания (tr): 67 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0099 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SWD078R08E8T
SWD078R08E8T Datasheet (PDF)
swd078r08e8t.pdf
SW078R08E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 95A Low RDS(ON) (Typ 8.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 8.6m Low Gate Charge (Typ 92nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr
swi075r06et swd075r06et.pdf
SW075R06ETN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 60V High ruggednessID : 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification, 2233Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2. Drai
swd070r08e7t.pdf
SW070R08E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 95A Low RDS(ON) (Typ 7.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 7.6m Low Gate Charge (Typ 101nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Desc
swd076r68e7t.pdf
SW076R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 80nC)RDS(ON) : 8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 212 Application:Synchronous Rectification,3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.Source3General Descrip
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
