SWD110R03VT Todos los transistores

 

SWD110R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD110R03VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWD110R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  samwin
 swd110r03vt.pdf pdf_icon

SWD110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V TO-252 High ruggedness ID : 55A Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 14m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application:DC-DC Converter,Motor

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: ELM13409CA | IPB123N10N3G | IXTQ150N15P | STH8NA60FI | 2SK2284 | CEDM8004VL | SVF31N30CSTR

 

 
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