SWD110R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD110R03VT
   Código: SW110R03VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 53 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SWD110R03VT Datasheet (PDF)

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swd110r03vt.pdf

SW110R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V TO-252 High ruggedness ID : 55A Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 14m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application:DC-DC Converter,Motor

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Liste

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