SWD110R03VT Todos los transistores

 

SWD110R03VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD110R03VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD110R03VT datasheet

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SWD110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS 30V TO-252 High ruggedness ID 55A Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=4.5V RDS(ON) 14m @VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 10m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application DC-DC Converter,Motor

Otros transistores... SWD085R68E7T , SWD086R68E7T , SWD088R08E8T , SWD106R95VS , SWD10N50K , SWD10N65K , SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , K3569 , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SWD160R12VT , SWD19N10 , SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D .

History: AP03N40AJ-HF | JBE112Q | AP0103GP-HF | BRI2N70 | SWD088R06VT | BSC080N03MS | 2SK1212-01R

 

 

 

 

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