Справочник MOSFET. SWD110R03VT

 

SWD110R03VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD110R03VT
   Маркировка: SW110R03VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SWD110R03VT

 

 

SWD110R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  samwin
 swd110r03vt.pdf

SWD110R03VT SWD110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V TO-252 High ruggedness ID : 55A Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 14m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application:DC-DC Converter,Motor

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top