Справочник MOSFET. SWD110R03VT

 

SWD110R03VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD110R03VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD110R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  samwin
 swd110r03vt.pdf pdf_icon

SWD110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V TO-252 High ruggedness ID : 55A Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 14m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application:DC-DC Converter,Motor

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK3798 | IRC8405 | PSMN2R0-40YLD | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.