SWD110R03VT - описание и поиск аналогов

 

SWD110R03VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD110R03VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD110R03VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD110R03VT даташит

 ..1. Size:642K  samwin
 swd110r03vt.pdf pdf_icon

SWD110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS 30V TO-252 High ruggedness ID 55A Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=4.5V RDS(ON) 14m @VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 10m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 Application DC-DC Converter,Motor

Другие MOSFET... SWD085R68E7T , SWD086R68E7T , SWD088R08E8T , SWD106R95VS , SWD10N50K , SWD10N65K , SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , K3569 , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SWD160R12VT , SWD19N10 , SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D .

History: HY3410B | HY3410PM | RUE002N02 | RF4E110BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.