SWD160R12VT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD160R12VT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 204 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD160R12VT datasheet

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SWD160R12VT

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 120V High ruggedness ID 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 16.4m )@VGS=10V RDS(ON) 18.3m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 16.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 2 Application Synchronous Rectifica

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