SWD160R12VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD160R12VT
   Código: SW160R12VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 64 nC
   Tiempo de subida (tr): 41 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 204 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SWD160R12VT Datasheet (PDF)

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swi160r12vt swd160r12vt.pdf

SW160R12VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 120V High ruggednessID : 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m)@VGS=4.5VLow RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 18.3m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC)16.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested3 3 2 Application:Synchronous Rectifica

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Liste

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