SWD160R12VT Todos los transistores

 

SWD160R12VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD160R12VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 204 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SWD160R12VT datasheet

 ..1. Size:691K  samwin
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SWD160R12VT

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 120V High ruggedness ID 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 16.4m )@VGS=10V RDS(ON) 18.3m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 16.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 2 Application Synchronous Rectifica

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History: BUK9508-55 | CEU83A3 | PJU1NA50 | AGM15T13D | P1203ED | HAT1040T | SFF100N20

 

 
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