SWD160R12VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD160R12VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 204 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SWD160R12VT MOSFET
SWD160R12VT Datasheet (PDF)
swi160r12vt swd160r12vt.pdf

SW160R12VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 120V High ruggednessID : 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m)@VGS=4.5VLow RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 18.3m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC)16.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested3 3 2 Application:Synchronous Rectifica
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