SWD160R12VT - описание и поиск аналогов

 

SWD160R12VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD160R12VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD160R12VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD160R12VT даташит

 ..1. Size:691K  samwin
 swi160r12vt swd160r12vt.pdf pdf_icon

SWD160R12VT

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 120V High ruggedness ID 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 16.4m )@VGS=10V RDS(ON) 18.3m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 16.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 2 Application Synchronous Rectifica

Другие MOSFET... SWD10N50K , SWD10N65K , SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SKD502T , SWD19N10 , SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.