SWD19N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD19N10
Código: SW19N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 91.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SWD19N10 Datasheet (PDF)
swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf
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SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS :100V TO-220 TO-252 TO-251 ID : 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1)@VGS=10V RDS(ON) : 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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Liste
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