SWD19N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD19N10
   Código: SW19N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 91.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD19N10

SWD19N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:636K samwin
swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf

SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS :100V TO-220 TO-252 TO-251 ID : 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1)@VGS=10V RDS(ON) : 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: