SWD19N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD19N10
Маркировка: SW19N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 91.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 108 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO252
SWD19N10 Datasheet (PDF)
swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS :100V TO-220 TO-252 TO-251 ID : 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1)@VGS=10V RDS(ON) : 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .