SWD200R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD200R10VT
Código: SW200R10VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 117 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 86 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD200R10VT
SWD200R10VT Datasheet (PDF)
swd200r10vt swi200r10vt.pdf
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swd20n20d swi20n20d.pdf
SW20N20D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET TO-252 TO-251 Features BVDSS : 200V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:LED,DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th
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