SWD200R10VT Todos los transistores

 

SWD200R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD200R10VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 117 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SWD200R10VT Datasheet (PDF)

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SWD200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 36A Low RDS(ON) (Typ 19.5m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 19.5m@VGS=4.5V (Typ 18.7m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 86nC) 18.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 2 3 Application: Syn

 9.1. Size:703K  samwin
 swd20n20d swi20n20d.pdf pdf_icon

SWD200R10VT

SW20N20D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET TO-252 TO-251 Features BVDSS : 200V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:LED,DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

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History: IRF7306TR

 

 
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