SWD200R10VT - описание и поиск аналогов

 

SWD200R10VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD200R10VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 117 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD200R10VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD200R10VT даташит

 ..1. Size:724K  samwin
 swd200r10vt swi200r10vt.pdf pdf_icon

SWD200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 100V High ruggedness ID 36A Low RDS(ON) (Typ 19.5m )@VGS=4.5V RDS(ON) 19.5m @VGS=4.5V (Typ 18.7m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 86nC) 18.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 2 3 Application Syn

 9.1. Size:703K  samwin
 swd20n20d swi20n20d.pdf pdf_icon

SWD200R10VT

SW20N20D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET TO-252 TO-251 Features BVDSS 200V ID 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application LED,DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

Другие MOSFET... SWD10N80K2 , SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SWD160R12VT , SWD19N10 , SWD1N60DC , AON7410 , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , SWD340R10VT , SWD3N80D .

History: SWB085R68E7T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.