SWD340R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD340R10VT
   Código: SW340R10VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 114 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 61 nC
   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 107 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SWD340R10VT Datasheet (PDF)

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swp340r10vt swd340r10vt.pdf

SW340R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 34A Low RDS(ON) (Typ 32m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 32m@VGS=4.5V (Typ 30m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 61nC) 30m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application:Power Supply,LED Bo

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Liste

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