SWD340R10VT Todos los transistores

 

SWD340R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD340R10VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de SWD340R10VT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWD340R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:703K  samwin
 swp340r10vt swd340r10vt.pdf pdf_icon

SWD340R10VT

SW340R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 34A Low RDS(ON) (Typ 32m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 32m@VGS=4.5V (Typ 30m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 61nC) 30m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application:Power Supply,LED Bo

Otros transistores... SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , CS150N03A8 , SWD3N80D , SWD4N40DC , SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD .

 

 
Back to Top

 


 
.