SWD340R10VT Todos los transistores

 

SWD340R10VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD340R10VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD340R10VT datasheet

 ..1. Size:703K  samwin
 swp340r10vt swd340r10vt.pdf pdf_icon

SWD340R10VT

SW340R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS 100V High ruggedness ID 34A Low RDS(ON) (Typ 32m )@VGS=4.5V RDS(ON) 32m @VGS=4.5V (Typ 30m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 61nC) 30m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application Power Supply,LED Bo

Otros transistores... SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , CS150N03A8 , SWD3N80D , SWD4N40DC , SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD .

History: 2SK1278 | 2SK1297 | BM3416E | SWB065R68E7T | 4N60KL-TF3T-T | 2SK1202 | IVN5000ANH

 

 

 

 

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