SWD340R10VT - описание и поиск аналогов

 

SWD340R10VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD340R10VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD340R10VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD340R10VT даташит

 ..1. Size:703K  samwin
 swp340r10vt swd340r10vt.pdf pdf_icon

SWD340R10VT

SW340R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS 100V High ruggedness ID 34A Low RDS(ON) (Typ 32m )@VGS=4.5V RDS(ON) 32m @VGS=4.5V (Typ 30m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 61nC) 30m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application Power Supply,LED Bo

Другие MOSFET... SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , CS150N03A8 , SWD3N80D , SWD4N40DC , SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD .

History: AP3N4R0P | 4N65KL-TF3-T | IRF720SPBF | SWF16N60D | MMN400A006U1 | IRF7313PBF-1 | 2SK3111

 

 

 

 

↑ Back to Top
.