Справочник MOSFET. SWD340R10VT

 

SWD340R10VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD340R10VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SWD340R10VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD340R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:703K  samwin
 swp340r10vt swd340r10vt.pdf pdf_icon

SWD340R10VT

SW340R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 34A Low RDS(ON) (Typ 32m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 32m@VGS=4.5V (Typ 30m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 61nC) 30m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application:Power Supply,LED Bo

Другие MOSFET... SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , IRLB4132 , SWD3N80D , SWD4N40DC , SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD .

History: SI2305DS-T1-GE3 | H5N2802PF | IRFR9110PBF | SW1N60A | SUN0260F

 

 
Back to Top

 


 
.