SWD70N10V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD70N10V
   Código: SW70N10V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 95 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 117 nC
   Tiempo de subida (tr): 87 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 177 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SWD70N10V Datasheet (PDF)

..1. Size:761K samwin
swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf

SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS : 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: