SWD70N10V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD70N10V
Маркировка: SW70N10V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 95 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 117 nC
trⓘ - Время нарастания: 87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO252
SWD70N10V Datasheet (PDF)
..1. Size:761K samwin
swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf
swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf
SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS : 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
