SWD80N04V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD80N04V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO252
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SWD80N04V datasheet
swi80n04v swd80n04v.pdf
SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS 40V TO-251 TO-252 ID 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m @VGS=4.5V RDS(ON) 7.2m @VGS=4.5V Typ 6.0m @VGS=10V 6.0m @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application LED, Charger, Ada
Otros transistores... SWD7N60K2F , SWD7N65DA , SWD7N65DD , SWD7N65J , SWD7N65K , SWD7N65K2 , SWD7N65M , SWD7N70K , IRLB3034 , SWD830D1 , SWD8N65D , SWD8N70K , SWD8N80K , SWD9N10V1 , SWD9N25D , SWD9N50D , SWF10N50K .
History: SW4N70K | HD1H15A
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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