SWD80N04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD80N04V
Código: SW80N04V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD80N04V
SWD80N04V Datasheet (PDF)
swi80n04v swd80n04v.pdf
SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 40V TO-251 TO-252 ID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m@VGS=4.5V RDS(ON) : 7.2m@VGS=4.5V Typ 6.0m@VGS=10V 6.0m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application: LED, Charger, Ada
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