Справочник MOSFET. SWD80N04V

 

SWD80N04V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD80N04V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD80N04V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  samwin
 swi80n04v swd80n04v.pdf pdf_icon

SWD80N04V

SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 40V TO-251 TO-252 ID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m@VGS=4.5V RDS(ON) : 7.2m@VGS=4.5V Typ 6.0m@VGS=10V 6.0m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application: LED, Charger, Ada

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFN32N100P | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.