SWD80N04V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD80N04V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 323 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
SWD80N04V Datasheet (PDF)
..1. Size:658K samwin
swi80n04v swd80n04v.pdf
swi80n04v swd80n04v.pdf
SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 40V TO-251 TO-252 ID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m@VGS=4.5V RDS(ON) : 7.2m@VGS=4.5V Typ 6.0m@VGS=10V 6.0m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application: LED, Charger, Ada
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
