SWD80N04V - описание и поиск аналогов

 

SWD80N04V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD80N04V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD80N04V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD80N04V даташит

 ..1. Size:658K  samwin
 swi80n04v swd80n04v.pdf pdf_icon

SWD80N04V

SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS 40V TO-251 TO-252 ID 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m @VGS=4.5V RDS(ON) 7.2m @VGS=4.5V Typ 6.0m @VGS=10V 6.0m @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application LED, Charger, Ada

Другие MOSFET... SWD7N60K2F , SWD7N65DA , SWD7N65DD , SWD7N65J , SWD7N65K , SWD7N65K2 , SWD7N65M , SWD7N70K , IRLB3034 , SWD830D1 , SWD8N65D , SWD8N70K , SWD8N80K , SWD9N10V1 , SWD9N25D , SWD9N50D , SWF10N50K .

History: RUF020N02 | 4N60L-TN3-R | AOWF10N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.