SWF14N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWF14N50D
   Código: SW14N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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SWF14N50D Datasheet (PDF)

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swf14n50d.pdf

SW14N50DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.38)@VGS=10VID : 14A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.38 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

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Liste

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