SWF14N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWF14N50D
Código: SW14N50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 54 nC
Tiempo de subida (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 211 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWF14N50D
SWF14N50D Datasheet (PDF)
swf14n50d.pdf
SW14N50DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.38)@VGS=10VID : 14A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.38 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce
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