SWF14N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWF14N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF14N50D
SWF14N50D Datasheet (PDF)
swf14n50d.pdf

SW14N50DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.38)@VGS=10VID : 14A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.38 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce
Другие MOSFET... SWF12N60D , SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K , IRFP460 , SWF15N50 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K .
History: SSF65R600S2 | IRL3803PBF
History: SSF65R600S2 | IRL3803PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor