Справочник MOSFET. SWF14N50D

 

SWF14N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWF14N50D
   Маркировка: SW14N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 54 nC
   Время нарастания (tr): 33 ns
   Выходная емкость (Cd): 211 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SWF14N50D

 

 

SWF14N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  samwin
 swf14n50d.pdf

SWF14N50D SWF14N50D

SW14N50DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.38)@VGS=10VID : 14A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.38 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top