SWF14N50D - описание и поиск аналогов

 

SWF14N50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF14N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF14N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF14N50D даташит

 ..1. Size:819K  samwin
 swf14n50d.pdf pdf_icon

SWF14N50D

SW14N50D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.38 )@VGS=10V ID 14A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) 0.38 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power MOSFET is produce

Другие MOSFET... SWF12N60D , SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K , IRF640 , SWF15N50 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K .

History: HCD80R1K4 | 2SK1319

 

 

 

 

↑ Back to Top
.