SWF2N60DB Todos los transistores

 

SWF2N60DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF2N60DB
   Código: SW2N60DB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWF2N60DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  samwin
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SWF2N60DB

SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Motor ControlInverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.1. Size:705K  samwin
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SWF2N60DB

SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 650V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V RDS(ON) : 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc

 8.2. Size:644K  samwin
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SWF2N60DB

SW2N65DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 11nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 9.1. Size:783K  samwin
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SWF2N60DB

SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 900V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

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History: IRLH5034PBF | SSI2N90A | STP33N60M2 | NVMFS6H824N | PJF7NA65

 

 
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