SWF2N60DB - описание и поиск аналогов

 

SWF2N60DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF2N60DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF2N60DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF2N60DB даташит

 ..1. Size:645K  samwin
 swf2n60db.pdf pdf_icon

SWF2N60DB

SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS 600V Features TO-220F ID 2A High ruggedness RDS(ON) 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application Motor Control Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.1. Size:705K  samwin
 swf2n65d.pdf pdf_icon

SWF2N60DB

SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 650V ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9 )@VGS=10V RDS(ON) 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc

 8.2. Size:644K  samwin
 swf2n65db.pdf pdf_icon

SWF2N60DB

SW2N65DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 2A High ruggedness RDS(ON) 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 11nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 9.1. Size:783K  samwin
 swf2n90k2.pdf pdf_icon

SWF2N60DB

SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 900V Features ID 2A High ruggedness RDS(ON) 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K , SWF18N60D , SWF20N50D , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , 8205A , SWF2N65D , SWF2N65DB , SWF2N70D , SWF2N90K2 , SWF3N80D , SWF4N100U , SWF4N50K , SWF4N60D .

History: RTR025N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.