SWF5N30D Todos los transistores

 

SWF5N30D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF5N30D
   Código: SW5N30D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWF5N30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  samwin
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SWF5N30D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS : 300V High ruggedness ID : 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76)@VGS=10V RDS(ON) : 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

 9.1. Size:780K  samwin
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SWF5N30D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS : 600V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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