Справочник MOSFET. SWF5N30D

 

SWF5N30D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF5N30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF5N30D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF5N30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  samwin
 swi5n30d swf5n30d.pdf pdf_icon

SWF5N30D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS : 300V High ruggedness ID : 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76)@VGS=10V RDS(ON) : 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

 9.1. Size:780K  samwin
 swf5n60d swmn5n60d.pdf pdf_icon

SWF5N30D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS : 600V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Другие MOSFET... SWF4N65K2 , SWF4N70D1 , SWF4N70K , SWF4N70K2 , SWF4N70L , SWF4N80D , SWF4N80K , SWF540 , 4435 , SWF5N60D , SWF6N60D , SWF6N60K , SWF6N65K , SWF6N70D , SWF6N70DB , SWF6N90D , SWF740D .

History: WMN80R1K0S | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA

 

 
Back to Top

 


 
.