Справочник MOSFET. SWF5N30D

 

SWF5N30D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWF5N30D
   Маркировка: SW5N30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SWF5N30D

 

 

SWF5N30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  samwin
 swi5n30d swf5n30d.pdf

SWF5N30D SWF5N30D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS : 300V High ruggedness ID : 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76)@VGS=10V RDS(ON) : 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

 9.1. Size:780K  samwin
 swf5n60d swmn5n60d.pdf

SWF5N30D SWF5N30D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS : 600V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top