SWF830D1 Todos los transistores

 

SWF830D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF830D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWF830D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  samwin
 swp830d1 swi830d1 swd830d1 swf830d1.pdf pdf_icon

SWF830D1

SW830D1 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F BVDSS : 500V Features ID : 5A High ruggedness RDS(ON) : 1.33 Low RDS(ON) (Typ 1.33)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 3 Application: DC-DCLEDPC 1 1

Otros transistores... SWF6N90D , SWF740D , SWF7N60K , SWF7N65DD , SWF7N65K , SWF7N65K2 , SWF7N65M , SWF7N70K , P0903BDG , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT .

History: FDB2710 | SSB80R240SFD | FDB8878 | NP110N03PUG | TK8R2A06PL | NP33N075YDF | IRLSL4030PBF

 

 
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