SWF830D1 Todos los transistores

 

SWF830D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF830D1
   Código: SW830D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 18.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 28 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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SWF830D1 Datasheet (PDF)

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SWF830D1
SWF830D1

SW830D1 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F BVDSS : 500V Features ID : 5A High ruggedness RDS(ON) : 1.33 Low RDS(ON) (Typ 1.33)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 3 Application: DC-DCLEDPC 1 1

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