SWF830D1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWF830D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.54 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF830D1
SWF830D1 Datasheet (PDF)
swp830d1 swi830d1 swd830d1 swf830d1.pdf

SW830D1 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F BVDSS : 500V Features ID : 5A High ruggedness RDS(ON) : 1.33 Low RDS(ON) (Typ 1.33)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 3 Application: DC-DCLEDPC 1 1
Другие MOSFET... SWF6N90D , SWF740D , SWF7N60K , SWF7N65DD , SWF7N65K , SWF7N65K2 , SWF7N65M , SWF7N70K , P0903BDG , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT .
History: CHM003TGP | HM3018JR | STT432S | AFN7106S | HM30N02D | SIS424DN | KML0D4N20TV
History: CHM003TGP | HM3018JR | STT432S | AFN7106S | HM30N02D | SIS424DN | KML0D4N20TV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet