SWF8N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWF8N80K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWF8N80K

SWF8N80K Datasheet (PDF)

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swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE

9.1. Size:1171K samwin
swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS : 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:Charg

9.2. Size:804K samwin
swu8n60d swf8n60d.pdf

SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS : 600V TO-220F ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92)@VGS=10V RDS(ON) : 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

9.3. Size:710K samwin
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SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

9.4. Size:1132K samwin
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SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

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SW8N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F BVDSS : 700V ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.55)@VGS=10V RDS(ON) : 0.55 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 2 Application:LED, PC Power, Charger 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General

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SW8N65DBN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFETFeatures BVDSS : 650VTO-251 TO-252TO-220F TO-262NID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC)2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 11 12 22 2 Application:LED, Charger, PC Power3 33 311. Gate 2. Drain

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: