SWF8N80K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF8N80K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF8N80K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF8N80K даташит

 ..1. Size:986K  samwin
swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdfpdf_icon

SWF8N80K

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67 )@VGS=10V RDS(ON) 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application Adapter,LE

 9.1. Size:1171K  samwin
swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdfpdf_icon

SWF8N80K

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID 8A High ruggedness RDS(ON) 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application Charg

 9.2. Size:804K  samwin
swu8n60d swf8n60d.pdfpdf_icon

SWF8N80K

SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS 600V TO-220F ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92 )@VGS=10V RDS(ON) 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

 9.3. Size:710K  samwin
sw8n70d swf8n70d swj8n70d.pdfpdf_icon

SWF8N80K

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS 700V High ruggedness ID 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m )@VGS=10 RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

Другие IGBT... SWF7N65K, SWF7N65K2, SWF7N65M, SWF7N70K, SWF830D1, SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, RFP50N06, SWF9N50D, SWH040R03VLT, SWH045R02VT, SWH065R03VLT, SWH110R03VT, SWH160R02VT, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT