SWF9N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWF9N50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SWF9N50D MOSFET
SWF9N50D PDF Specs
swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf
SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS 500V ID 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68 )@VGS=10V RDS(ON) 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application DC-DC LED PC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source ... See More ⇒
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Liste
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