SWF9N50D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWF9N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF9N50D
SWF9N50D Datasheet (PDF)
swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf
SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS : 500V ID : 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68)@VGS=10V RDS(ON) : 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
Другие MOSFET... SWF7N65K2 , SWF7N65M , SWF7N70K , SWF830D1 , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SI2302 , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT , SWH110R03VT , SWH160R02VT , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT .
History: AM4394N | IRFR3518PBF | HFU1N60SA | STP6506 | UT2305G-AE3-R | AM3922N | IPP80N06S4L-05
History: AM4394N | IRFR3518PBF | HFU1N60SA | STP6506 | UT2305G-AE3-R | AM3922N | IPP80N06S4L-05
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810


