Справочник MOSFET. SWF9N50D

 

SWF9N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF9N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF9N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF9N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  samwin
 swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf pdf_icon

SWF9N50D

SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS : 500V ID : 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68)@VGS=10V RDS(ON) : 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWF7N65K2 , SWF7N65M , SWF7N70K , SWF830D1 , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , IRFZ46N , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT , SWH110R03VT , SWH160R02VT , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT .

 

 
Back to Top

 


 
.