SWH040R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWH040R03VLT
Código: 040R03VLT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 33.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
Carga de la puerta (Qg): 59 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 335 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWH040R03VLT
SWH040R03VLT Datasheet (PDF)
swh040r03vlt.pdf
SW040R03VLTFeaturesN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET High ruggednessBVDSS : 30VDFN3*3 Low RDS(ON) (Typ 5.5m)@VGS=4.5V(Typ 4.0m)@VGS=10V ID : 65A18 Low Gate Charge (Typ 59nC)RDS(ON) : 5.5m@VGS=4.5V2 7 Improved dv/dt Capability 63 100% Avalanche Tested5 4.0m@VGS=10V4 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Prote
swh045r02vt.pdf
SW045R02VTN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFETFeaturesDFN3*3BVDSS : 20V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m)@VGS=2.5VID : 20A18Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5V2 7RDS(ON) : 4.6m@VGS=2.5VLow RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V635 Low Gate Charge (Typ 50nC) 43.7m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 3.3m@VGS=10V 100% Avalanche Teste
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
