Справочник MOSFET. SWH040R03VLT

 

SWH040R03VLT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWH040R03VLT
   Маркировка: 040R03VLT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для SWH040R03VLT

 

 

SWH040R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  samwin
 swh040r03vlt.pdf

SWH040R03VLT SWH040R03VLT

SW040R03VLTFeaturesN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET High ruggednessBVDSS : 30VDFN3*3 Low RDS(ON) (Typ 5.5m)@VGS=4.5V(Typ 4.0m)@VGS=10V ID : 65A18 Low Gate Charge (Typ 59nC)RDS(ON) : 5.5m@VGS=4.5V2 7 Improved dv/dt Capability 63 100% Avalanche Tested5 4.0m@VGS=10V4 Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Prote

 9.1. Size:925K  samwin
 swh045r02vt.pdf

SWH040R03VLT SWH040R03VLT

SW045R02VTN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFETFeaturesDFN3*3BVDSS : 20V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m)@VGS=2.5VID : 20A18Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5V2 7RDS(ON) : 4.6m@VGS=2.5VLow RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V635 Low Gate Charge (Typ 50nC) 43.7m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 3.3m@VGS=10V 100% Avalanche Teste

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top