SWH040R03VLT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWH040R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SWH040R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH040R03VLT даташит

 ..1. Size:734K  samwin
 swh040r03vlt.pdf pdf_icon

SWH040R03VLT

SW040R03VLT Features N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET High ruggedness BVDSS 30V DFN3*3 Low RDS(ON) (Typ 5.5m )@VGS=4.5V (Typ 4.0m )@VGS=10V ID 65A 1 8 Low Gate Charge (Typ 59nC) RDS(ON) 5.5m @VGS=4.5V 2 7 Improved dv/dt Capability 6 3 100% Avalanche Tested 5 4.0m @VGS=10V 4 Application Synchronous Rectification, D Li Battery Prote

 9.1. Size:925K  samwin
 swh045r02vt.pdf pdf_icon

SWH040R03VLT

SW045R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features DFN3*3 BVDSS 20V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m )@VGS=2.5V ID 20A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 3.7m )@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) 4.6m @VGS=2.5V Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=10V 6 3 5 Low Gate Charge (Typ 50nC) 4 3.7m @VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 3.3m @VGS=10V 100% Avalanche Teste

Другие IGBT... SWF7N65M, SWF7N70K, SWF830D1, SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D, AO3407, SWH045R02VT, SWH065R03VLT, SWH110R03VT, SWH160R02VT, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT, SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T