SWH065R03VLT Todos los transistores

 

SWH065R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWH065R03VLT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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SWH065R03VLT Datasheet (PDF)

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 swh065r03vlt.pdf pdf_icon

SWH065R03VLT

SW065R03VLTN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFETFeaturesDFN3*3 BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 8.7m)@VGS=4.5VID : 58A1 8(Typ 5.7m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 8.7m@VGS=4.5V6 Low Gate Charge (Typ 34nC) 354 Improved dv/dt Capability 5.7m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec

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History: RD3H200SN

 

 
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