SWH065R03VLT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWH065R03VLT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для SWH065R03VLT
SWH065R03VLT Datasheet (PDF)
swh065r03vlt.pdf

SW065R03VLTN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFETFeaturesDFN3*3 BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 8.7m)@VGS=4.5VID : 58A1 8(Typ 5.7m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 8.7m@VGS=4.5V6 Low Gate Charge (Typ 34nC) 354 Improved dv/dt Capability 5.7m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec
Другие MOSFET... SWF830D1 , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , IRF530 , SWH110R03VT , SWH160R02VT , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT , SWHA056R68E7T , SWHA065R03VLT , SWHA069R06VT .
History: NTMFS6B05N | WM03P41M2 | BUK9Y15-100E | IPD25DP06NM | APT30F50B | BUK9Y12-100E | IPD30N12S3L-31
History: NTMFS6B05N | WM03P41M2 | BUK9Y15-100E | IPD25DP06NM | APT30F50B | BUK9Y12-100E | IPD30N12S3L-31



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735