SWH065R03VLT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWH065R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SWH065R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH065R03VLT даташит

 ..1. Size:728K  samwin
 swh065r03vlt.pdf pdf_icon

SWH065R03VLT

SW065R03VLT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features DFN3*3 BVDSS 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 8.7m )@VGS=4.5V ID 58A 1 8 (Typ 5.7m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 8.7m @VGS=4.5V 6 Low Gate Charge (Typ 34nC) 3 5 4 Improved dv/dt Capability 5.7m @VGS=10V 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification, D Li Battery Protec

Другие IGBT... SWF830D1, SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D, SWH040R03VLT, SWH045R02VT, 20N50, SWH110R03VT, SWH160R02VT, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT, SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT