SWH065R03VLT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWH065R03VLT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для SWH065R03VLT
SWH065R03VLT Datasheet (PDF)
swh065r03vlt.pdf
SW065R03VLTN-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFETFeaturesDFN3*3 BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 8.7m)@VGS=4.5VID : 58A1 8(Typ 5.7m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 8.7m@VGS=4.5V6 Low Gate Charge (Typ 34nC) 354 Improved dv/dt Capability 5.7m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protec
Другие MOSFET... SWF830D1 , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , 20N50 , SWH110R03VT , SWH160R02VT , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT , SWHA056R68E7T , SWHA065R03VLT , SWHA069R06VT .
History: RFP12N10
History: RFP12N10
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735


