SWH110R03VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWH110R03VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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SWH110R03VT datasheet

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SWH110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS 30V DFN3*3 High ruggedness ID 11A Low RDS(ON) (Typ 13.9m )@VGS=4.5V 1 8 2 7 RDS(ON) 13.9m @VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 9.9m )@VGS=10V 6 3 Low Gate Charge (Typ 24nC) 5 4 9.9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application DC-DC

Otros transistores... SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D, SWH040R03VLT, SWH045R02VT, SWH065R03VLT, IRF520, SWH160R02VT, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT, SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS