SWH110R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWH110R03VT
   Código: SW110R03V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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SWH110R03VT Datasheet (PDF)

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swh110r03vt.pdf

SW110R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 30V DFN3*3 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 13.9m)@VGS=4.5V 1 8 2 7 RDS(ON) : 13.9m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=10V 6 3 Low Gate Charge (Typ 24nC) 5 4 9.9m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC

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Liste

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