Справочник MOSFET. SWH110R03VT

 

SWH110R03VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWH110R03VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для SWH110R03VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH110R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  samwin
 swh110r03vt.pdf pdf_icon

SWH110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 30V DFN3*3 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 13.9m)@VGS=4.5V 1 8 2 7 RDS(ON) : 13.9m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=10V 6 3 Low Gate Charge (Typ 24nC) 5 4 9.9m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC

Другие MOSFET... SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT , CS150N03A8 , SWH160R02VT , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT , SWHA056R68E7T , SWHA065R03VLT , SWHA069R06VT , SWHA106R95VS .

History: SSF11NS70UF | SM3335PSQG | SWJ4N80D | 2SK216 | APT10M09LVFRG | HRD80N06K

 

 
Back to Top

 


 
.