SWH110R03VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWH110R03VT
Маркировка: SW110R03V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
trⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для SWH110R03VT
SWH110R03VT Datasheet (PDF)
swh110r03vt.pdf
SW110R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 30V DFN3*3 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 13.9m)@VGS=4.5V 1 8 2 7 RDS(ON) : 13.9m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=10V 6 3 Low Gate Charge (Typ 24nC) 5 4 9.9m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100