SWH110R03VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWH110R03VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SWH110R03VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH110R03VT даташит

 ..1. Size:766K  samwin
 swh110r03vt.pdf pdf_icon

SWH110R03VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS 30V DFN3*3 High ruggedness ID 11A Low RDS(ON) (Typ 13.9m )@VGS=4.5V 1 8 2 7 RDS(ON) 13.9m @VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 9.9m )@VGS=10V 6 3 Low Gate Charge (Typ 24nC) 5 4 9.9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application DC-DC

Другие IGBT... SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D, SWH040R03VLT, SWH045R02VT, SWH065R03VLT, IRF520, SWH160R02VT, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT, SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS