SWH110R03VT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWH110R03VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для SWH110R03VT
SWH110R03VT Datasheet (PDF)
swh110r03vt.pdf

SW110R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 30V DFN3*3 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 13.9m)@VGS=4.5V 1 8 2 7 RDS(ON) : 13.9m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=10V 6 3 Low Gate Charge (Typ 24nC) 5 4 9.9m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC
Другие MOSFET... SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT , CS150N03A8 , SWH160R02VT , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT , SWHA056R68E7T , SWHA065R03VLT , SWHA069R06VT , SWHA106R95VS .
History: STU20N15 | NTMFS4C09NT1G
History: STU20N15 | NTMFS4C09NT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200