SWH160R02VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWH160R02VT
   Código: SW160R02V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWH160R02VT

SWH160R02VT Datasheet (PDF)

..1. Size:754K samwin
swh160r02vt.pdf

SW160R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 20V DFN3*3 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12.3m)@VGS=2.5V ID : 16A 1 8 (Typ 9.4m)@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) : 12.3m@VGS=2.5V Low Gate Charge (Typ 15.4nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.4m@VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inve

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: