SWH160R02VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWH160R02VT
Código: SW160R02V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
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SWH160R02VT Datasheet (PDF)
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SW160R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 20V DFN3*3 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12.3m)@VGS=2.5V ID : 16A 1 8 (Typ 9.4m)@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) : 12.3m@VGS=2.5V Low Gate Charge (Typ 15.4nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.4m@VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inve
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