SWH160R02VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWH160R02VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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SWH160R02VT datasheet

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SWH160R02VT

SW160R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS 20V DFN3*3 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12.3m )@VGS=2.5V ID 16A 1 8 (Typ 9.4m )@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) 12.3m @VGS=2.5V Low Gate Charge (Typ 15.4nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.4m @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Application DC-DC Converter, Inve

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