Справочник MOSFET. SWH160R02VT

 

SWH160R02VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWH160R02VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для SWH160R02VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH160R02VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  samwin
 swh160r02vt.pdf pdf_icon

SWH160R02VT

SW160R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 20V DFN3*3 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12.3m)@VGS=2.5V ID : 16A 1 8 (Typ 9.4m)@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) : 12.3m@VGS=2.5V Low Gate Charge (Typ 15.4nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.4m@VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inve

Другие MOSFET... SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT , SWH110R03VT , IRFB31N20D , SWHA018R03VLT , SWHA020R03VLT , SWHA026R03VT , SWHA056R68E7T , SWHA065R03VLT , SWHA069R06VT , SWHA106R95VS , SWHA110R06VT .

History: WMJ90R260S | FDMC86265P | CS2N80A3HY | STI40N65M2 | WML12N80M3 | KIA50N06B-220

 

 
Back to Top

 


 
.