SWH160R02VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWH160R02VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SWH160R02VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH160R02VT даташит

 ..1. Size:754K  samwin
 swh160r02vt.pdf pdf_icon

SWH160R02VT

SW160R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS 20V DFN3*3 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12.3m )@VGS=2.5V ID 16A 1 8 (Typ 9.4m )@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) 12.3m @VGS=2.5V Low Gate Charge (Typ 15.4nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.4m @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Application DC-DC Converter, Inve

Другие IGBT... SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D, SWH040R03VLT, SWH045R02VT, SWH065R03VLT, SWH110R03VT, IRF2807, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT, SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT