Справочник MOSFET. SWH160R02VT

 

SWH160R02VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWH160R02VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH160R02VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  samwin
 swh160r02vt.pdf pdf_icon

SWH160R02VT

SW160R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : 20V DFN3*3 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 12.3m)@VGS=2.5V ID : 16A 1 8 (Typ 9.4m)@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) : 12.3m@VGS=2.5V Low Gate Charge (Typ 15.4nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.4m@VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inve

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: S60N15R | WM02P56M2 | 2SK3572-Z | IPB030N08N3G | NCE60NF080T | HM50N20 | IPD14N06S2-80

 

 
Back to Top

 


 
.