SWHA35N10V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWHA35N10V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SWHA35N10V datasheet

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SWHA35N10V

SW35N10V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 100V High ruggedness ID 35A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 12.4m )@VGS=4.5V 2 7 (Typ 11.6m )@VGS=10V RDS(ON) 12.4m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 117nC) 5 4 11.6m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application Synchronous Rect

Otros transistores... SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, IRFZ46N, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES