SWHA35N10V Todos los transistores

 

SWHA35N10V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWHA35N10V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SWHA35N10V Datasheet (PDF)

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SWHA35N10V

SW35N10V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 35A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V 2 7 (Typ 11.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 117nC) 5 4 11.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:Synchronous Rect

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History: IPB70N10S3L-12 | DH8004 | DH4N150B | IRF1010NPBF | APT6060AN | APT60M75L2FLLG

 

 
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