SWHA35N10V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWHA35N10V
Código: SW35N10V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 117 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWHA35N10V
SWHA35N10V Datasheet (PDF)
swha35n10v.pdf
SW35N10V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 35A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V 2 7 (Typ 11.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 117nC) 5 4 11.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:Synchronous Rect
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .