SWHA35N10V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA35N10V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA35N10V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA35N10V даташит

 ..1. Size:706K  samwin
 swha35n10v.pdf pdf_icon

SWHA35N10V

SW35N10V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 100V High ruggedness ID 35A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 12.4m )@VGS=4.5V 2 7 (Typ 11.6m )@VGS=10V RDS(ON) 12.4m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 117nC) 5 4 11.6m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application Synchronous Rect

Другие IGBT... SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, IRFZ46N, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES