Справочник MOSFET. SWHA35N10V

 

SWHA35N10V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWHA35N10V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SWHA35N10V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA35N10V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  samwin
 swha35n10v.pdf pdf_icon

SWHA35N10V

SW35N10V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 35A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 12.4m)@VGS=4.5V 2 7 (Typ 11.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 12.4m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 117nC) 5 4 11.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application:Synchronous Rect

Другие MOSFET... SWHA065R03VLT , SWHA069R06VT , SWHA106R95VS , SWHA110R06VT , SWHA120R45VT , SWHA130R06VT , SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , STP65NF06 , SWHA40N06V , SWHA50P03 , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES .

History: GSM4924 | WSD4066DN | SWI80N06V1 | MMP6967 | HIRFZ24NF | BL10N80-F

 

 
Back to Top

 


 
.