SWHA50P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWHA50P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 506 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SWHA50P03 datasheet

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SWHA50P03

SW50P03 P-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -30V DFN5*6 High ruggedness ID -13A Low RDS(ON) (Typ 11.3m )@VGS=-4.5V 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.8m )@VGS=-10V RDS(ON) 11.3m @VGS=-4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 68nC) 6 3 5 4 7.8m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application Ada

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