SWHA50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWHA50P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 506 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de SWHA50P03 MOSFET
SWHA50P03 Datasheet (PDF)
swha50p03.pdf

SW50P03 P-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -30V DFN5*6 High ruggedness ID : -13A Low RDS(ON) (Typ 11.3m)@VGS=-4.5V 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.8m)@VGS=-10V RDS(ON) : 11.3m @VGS=-4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 68nC) 6 3 5 4 7.8m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application: Ada
Otros transistores... SWHA106R95VS , SWHA110R06VT , SWHA120R45VT , SWHA130R06VT , SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , SWHA35N10V , SWHA40N06V , EMB04N03H , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT .
History: MTE150P20H8 | NCE2301D | HSU6032 | STB160N75F3
History: MTE150P20H8 | NCE2301D | HSU6032 | STB160N75F3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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