SWHA50P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA50P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA50P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA50P03 даташит

 ..1. Size:702K  samwin
 swha50p03.pdf pdf_icon

SWHA50P03

SW50P03 P-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -30V DFN5*6 High ruggedness ID -13A Low RDS(ON) (Typ 11.3m )@VGS=-4.5V 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.8m )@VGS=-10V RDS(ON) 11.3m @VGS=-4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 68nC) 6 3 5 4 7.8m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application Ada

Другие IGBT... SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, SWHA35N10V, SWHA40N06V, IRLB3034, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT