Справочник MOSFET. SWHA50P03

 

SWHA50P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWHA50P03
   Маркировка: SW50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:702K  samwin
 swha50p03.pdf pdf_icon

SWHA50P03

SW50P03 P-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -30V DFN5*6 High ruggedness ID : -13A Low RDS(ON) (Typ 11.3m)@VGS=-4.5V 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.8m)@VGS=-10V RDS(ON) : 11.3m @VGS=-4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 68nC) 6 3 5 4 7.8m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application: Ada

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RF1S30N06LE | IRF7413GPBF | TPP70R950C | MTP1013C3 | IXFH14N60P3 | SI4126DY

 

 
Back to Top

 


 
.