SWHA50P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWHA50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SWHA50P03
SWHA50P03 Datasheet (PDF)
swha50p03.pdf

SW50P03 P-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -30V DFN5*6 High ruggedness ID : -13A Low RDS(ON) (Typ 11.3m)@VGS=-4.5V 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.8m)@VGS=-10V RDS(ON) : 11.3m @VGS=-4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 68nC) 6 3 5 4 7.8m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application: Ada
Другие MOSFET... SWHA106R95VS , SWHA110R06VT , SWHA120R45VT , SWHA130R06VT , SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , SWHA35N10V , SWHA40N06V , EMB04N03H , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT .
History: EKI04036 | NTMS5835NLR2G | NDP605B | NTMS4801NR2G | 2SJ275 | PT676BA | NTMS4917NR2G
History: EKI04036 | NTMS5835NLR2G | NDP605B | NTMS4801NR2G | 2SJ275 | PT676BA | NTMS4917NR2G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor