SWHA50P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWHA50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
SWHA50P03 Datasheet (PDF)
swha50p03.pdf
SW50P03 P-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -30V DFN5*6 High ruggedness ID : -13A Low RDS(ON) (Typ 11.3m)@VGS=-4.5V 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.8m)@VGS=-10V RDS(ON) : 11.3m @VGS=-4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 68nC) 6 3 5 4 7.8m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application: Ada
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918