SWHA60N04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWHA60N04V
Código: SW60N04V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 127 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
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SWHA60N04V Datasheet (PDF)
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swha60n04v.pdf
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SW60N04V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.9m)@VGS=4.5V ID : 60A 1 8 (Typ 2.3m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 2.9m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 127nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 2.3m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inverter, D(5
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