SWHA60N04V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWHA60N04V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SWHA60N04V datasheet

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SWHA60N04V

SW60N04V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.9m )@VGS=4.5V ID 60A 1 8 (Typ 2.3m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 2.9m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 127nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 2.3m @VGS=10V 100% Avalanche Tested Application DC-DC Converter, Inverter, D(5

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