SWHA60N04V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA60N04V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA60N04V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA60N04V даташит

 ..1. Size:547K  samwin
 swha60n04v.pdf pdf_icon

SWHA60N04V

SW60N04V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.9m )@VGS=4.5V ID 60A 1 8 (Typ 2.3m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 2.9m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 127nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 2.3m @VGS=10V 100% Avalanche Tested Application DC-DC Converter, Inverter, D(5

Другие IGBT... SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, SWHA35N10V, SWHA40N06V, SWHA50P03, IRF9640, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET