Справочник MOSFET. SWHA60N04V

 

SWHA60N04V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWHA60N04V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SWHA60N04V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA60N04V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  samwin
 swha60n04v.pdf pdf_icon

SWHA60N04V

SW60N04V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.9m)@VGS=4.5V ID : 60A 1 8 (Typ 2.3m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 2.9m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 127nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 2.3m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inverter, D(5

Другие MOSFET... SWHA110R06VT , SWHA120R45VT , SWHA130R06VT , SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , SWHA35N10V , SWHA40N06V , SWHA50P03 , AON7403 , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET .

History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.