Справочник MOSFET. SWHA60N04V

 

SWHA60N04V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWHA60N04V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA60N04V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  samwin
 swha60n04v.pdf pdf_icon

SWHA60N04V

SW60N04V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.9m)@VGS=4.5V ID : 60A 1 8 (Typ 2.3m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 2.9m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 127nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 2.3m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:DC-DC Converter, Inverter, D(5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JMSL0406AG | SMG2358N | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | 2SK2525-01 | SI7328DN

 

 
Back to Top

 


 
.