SP8651 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8651
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 463 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: SMINI8
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SP8651 datasheet
sp8651.pdf
Green Product SP8651 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 3.7 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 14.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 15.0 @ VGS=4.0V ESD Protected. 24V 10A 16.0 @ VGS=3.7V 17.5 @ VGS=3.1V 21.0 @ VGS=2.5V 5 4 D2 G 2
Otros transistores... FDS6680AS , STA6611 , FDS6681Z , FDS6682 , STA6610 , FDS6690AS , STA4470 , FDS6692A , IRFZ44 , FDS6699S , SP8611 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 .
History: STA6610
History: STA6610
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Liste
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