SP8651 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SP8651
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 463 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI8

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SP8651 Datasheet (PDF)

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GreenProductSP8651aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.7Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15.0 @ VGS=4.0V ESD Protected.24V 10A 16.0 @ VGS=3.7V 17.5 @ VGS=3.1V 21.0 @ VGS=2.5V 5 4D2 G 2

Otros transistores... FDS6680AS , STA6611 , FDS6681Z , FDS6682 , STA6610 , FDS6690AS , STA4470 , FDS6692A , IRF540N , FDS6699S , SP8611 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 .

Liste

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